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IRF6665
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
Vds
Vgs
Id
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
V gs(th)
I G
I D
Current Sampling Resistors
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 17a. Gate Charge Test Circuit
D.U.T
+
Fig 17b. Gate Charge Waveform
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
?
?
?
?
Period
di/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D=
P.W.
Period
V DD
+
-
V GS =10V *
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
V DD
Inductor Curent
Re-Applied
Voltage
Body Diode
Inductor Current
Ripple  ≤  5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 18. Diode Reverse Recovery Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
6
www.irf.com
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